VS-50WQ10FNTR-M3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Diskrete Halbleiter-Produkte
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RF/if und RFID
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Optoelektronik
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50WQ10FNTR-M3
| Artikelnummer: | VS-50WQ10FNTR-M3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.78 |
| 10+ | $0.686 |
| 100+ | $0.5256 |
| 500+ | $0.4155 |
| 1000+ | $0.3324 |
»
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50WQ10FNTR-M3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VS-50WQ10FNTR-M3.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 770 mV @ 5 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V Technologie Schottky Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252AA) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie - Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 mA @ 100 V Strom - Richt (Io) 5.5A Kapazität @ Vr, F 183pF @ 5V, 1MHz Grundproduktnummer 50WQ10 VS-50WQ10FNTR-M3 Einzelheiten PDF [English] VS-50WQ10FNTR-M3 PDF - EN.pdf -
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